Investigation of single event burnout sensitive depth in power MOSFETS

Abstract : The depth of the Single-event burnout sensitive volume of power MOSFETs is investigated using TCAD simulation and TPA laser testing approaches.
Type de document :
Communication dans un congrès
2009 European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS),, Sep 2009, Bruges, Belgium. pp.106 - 111, 2009
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00667364
Contributeur : Frédéric Darracq <>
Soumis le : mardi 7 février 2012 - 14:54:05
Dernière modification le : jeudi 4 octobre 2018 - 11:14:03

Identifiants

  • HAL Id : hal-00667364, version 1

Citation

Frédéric Darracq, V. Pouget, D. Lewis, P. Fouillat, E. Lorfèvre, et al.. Investigation of single event burnout sensitive depth in power MOSFETS. 2009 European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS),, Sep 2009, Bruges, Belgium. pp.106 - 111, 2009. 〈hal-00667364〉

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