Electrical characteristics of SiC UV-Photodetector device : from the p-i-n structure behaviour to the Junction Barrier Schottky structure behaviour

Stéphane Biondo (1) , Mihai Lazar (2) , Laurent Ottaviani (1) , Wilfried Vervisch (1) , Olivier Palais (1) , Rachid Daineche (1) , Dominique Planson (2) , Frédéric Milesi (3) , Julian Duchaine (4) , Frank Torregrosa (4)

1 IM2NP - Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
2 AMPERE - Ampère
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 IBS - Ion Beam Services

Domaines: Energie électrique

Stéphane Biondo, Mihai Lazar, Laurent Ottaviani, Wilfried Vervisch, Olivier Palais, et al.. Electrical characteristics of SiC UV-Photodetector device : from the p-i-n structure behaviour to the Junction Barrier Schottky structure behaviour. HeteroSiC & WASMPE 2011, Jun 2011, Tours, France. pp.114-117, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.711.114⟩. ⟨hal-00661511⟩