Etching issues with High-K Metal Gate stacks for CMOS 28nm technology - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00649911 , version 1 (09-12-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00649911 , version 1

Citer

F. Chave, L. Vallier, P. Gouraud, S. Baudot, C. Roukoss, et al.. Etching issues with High-K Metal Gate stacks for CMOS 28nm technology. PESM 4th International Workshop, May 2011, Malines, Belgium. ⟨hal-00649911⟩
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