Reduction of Plasma Induced Silicon-Recess During Gate Over-Etch Using Synchronous Pulsed Plasmas - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Reduction of Plasma Induced Silicon-Recess During Gate Over-Etch Using Synchronous Pulsed Plasmas

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00625366

Soumis le : mercredi 21 septembre 2011-14:05:26

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:24:10

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00625366 , version 1 (21-09-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00625366 , version 1

Citer

Maxime Darnon, C. Petit-Etienne, F. Boulard, E. Pargon, L. Vallier, et al.. Reduction of Plasma Induced Silicon-Recess During Gate Over-Etch Using Synchronous Pulsed Plasmas. AVS 57th international symposium, Oct 2010, Albuquerque, United States. ⟨hal-00625366⟩

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