PCRAM performances improvement with nitrogen doped GeTe material for embedded applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

PCRAM performances improvement with nitrogen doped GeTe material for embedded applications

E. Gourvest
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
C. Vallee
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
F. Fillot
  • Fonction : Auteur
Hervé Roussel
Laboratoire des matériaux et du génie physique
L. Perniola
  • Fonction : Auteur
J.C. Bastien
  • Fonction : Auteur
A. Bastard
  • Fonction : Auteur
S. Loubriat
  • Fonction : Auteur
A. Roule
  • Fonction : Auteur
S. Lhostis
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des matériaux et du génie physique
S. Maitrejean
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00625266

Soumis le : mercredi 21 septembre 2011-11:22:53

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00625266 , version 1 (21-09-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00625266 , version 1

Citer

E. Gourvest, C. Vallee, F. Fillot, Hervé Roussel, L. Perniola, et al.. PCRAM performances improvement with nitrogen doped GeTe material for embedded applications. 2010 MRS Spring Meeting, 2010, San Francisco (USA), United States. ⟨hal-00625266⟩

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