Silicon nanowires: Diameter dependence of growth rate and delay in growth

F. Dhalluin (1) , T. Baron (1) , P. Ferret (2) , B. Salem (1) , P. Gentile (3) , J.C Harmand (4)

1 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
3 SiNaps - Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
4 LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures

Domaines: Matière Condensée [cond-mat]; Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

F. Dhalluin, T. Baron, P. Ferret, B. Salem, P. Gentile, et al.. Silicon nanowires: Diameter dependence of growth rate and delay in growth. Applied Physics Letters, 2010, pp.96 (13), art. no. 133109. ⟨hal-00623435⟩