Conception d'une protection périphérique originale pour composants bipolaires en carbure de silicium (SiC)
Résumé
La conception de protection périphérique efficace est un élément essentiel pour les composants haute tension. Ceci est d'autant plus vrai avec le matériau semi-conducteur carbure de silicium (SiC) bien adapté pour les fortes puissances. Les protections les plus courantes sont présentées : JTE (Junction Termination Extension), mesa et anneaux de garde. La caractérisation de thyristors protégés par mesa JTE met en valeur l'utilité de la conception d'une nouvelle protection périphérique. La conception comprend les études de protection de type JTE simple et multiple dont la principale originalité est d'être gravée. La sensibilité de ces protections par rapport à l'incertitude technologique sur la profondeur de gravure est particulièrement observée. L'effet des densités d'état d'interface entre le semi-conducteur et la passivation sur la JTE triple est également détaillé.