Chambre à Vide de Caractérisation Haute Tension de Composants Semiconducteurs Nus
Résumé
La caractérisation de composants de puissance réalisés à partir de substrat semiconducteur à grand gap nécessite des moyens de mesure adaptés. Nous avons mis en place une chambre expérimentale permettant la caractérisation de composants nus. Elle permet de caractériser des composants haute tension jusqu'à 20 kV, avec un courant pouvant atteindre 1,5 mA et une résolution de plusieurs dizaines de picoampères. Cet instrument innovant présente un deuxième avantage : la validation des processus de fabrications sans contamination des wafers.