A 2D analytical model of threshold voltage for Pi-gate FinFET transistors.

R. Ritzenthaler; M. Tang; O. Faynot; F. Lime; F. Pregaldiny; C. Lallement; S. Cristoloveanu; B. Iniguez

Communication Dans Un Congrès Année : 2010

A 2D analytical model of threshold voltage for Pi-gate FinFET transistors.

, (1) , (2) , , (1) , (1) , (3) ,

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3

R. Ritzenthaler

Fonction : Auteur

M. Tang

Fonction : Auteur

Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes

O. Faynot

Fonction : Auteur

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

F. Lime

Fonction : Auteur

F. Pregaldiny

Fonction : Auteur

Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes

C. Lallement

Fonction : Auteur

Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes

S. Cristoloveanu

Fonction : Auteur
PersonId : 172108
IdHAL : sorin-cristoloveanu
ORCID : 0000-0002-3576-5586
IdRef : 030493188

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

B. Iniguez

Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00604529

Soumis le : mercredi 29 juin 2011-11:05:01

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:52:37

Dates et versions

hal-00604529 , version 1 (29-06-2011)

Identifiants

HAL Id : hal-00604529 , version 1

Citer

R. Ritzenthaler, M. Tang, O. Faynot, F. Lime, F. Pregaldiny, et al.. A 2D analytical model of threshold voltage for Pi-gate FinFET transistors.. 6th EUROSOI Workshop, Jan 2010, Grenoble, France. ⟨hal-00604529⟩

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