Intrinsic Cut Off Frequency of Si and GaAs Based Resonant Tunneling Diodes - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Intrinsic Cut Off Frequency of Si and GaAs Based Resonant Tunneling Diodes

E. Buccafurri
  • Fonction : Auteur
R. Clerc
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
F. Calmon
CV
M. Pala
CV
A. Poncet
  • Fonction : Auteur
G. Ghibaudo
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
CV

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00604239

Soumis le : mardi 28 juin 2011-15:05:09

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:50:01

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00604239 , version 1 (28-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00604239 , version 1

Citer

E. Buccafurri, R. Clerc, F. Calmon, M. Pala, A. Poncet, et al.. Intrinsic Cut Off Frequency of Si and GaAs Based Resonant Tunneling Diodes. Int. Conference on Ultimate Integration of Silicon, Aachen, Mar 2009, Germany. pp.91-94. ⟨hal-00604239⟩

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