Engineering of Ga1-xInxAsySb1y/GaSb quantum well for III-V based devices emitting near 2.7 µm - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Institute of physics conference series Année : 2010

Engineering of Ga1-xInxAsySb1y/GaSb quantum well for III-V based devices emitting near 2.7 µm

A. Jdidi
  • Fonction : Auteur
N. Sfina
  • Fonction : Auteur
M. Saïd
  • Fonction : Auteur
J.L. Lazzari
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
CV

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https://hal.science/hal-00603269

Soumis le : vendredi 24 juin 2011-15:17:35

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:54

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Dates et versions

hal-00603269 , version 1 (24-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00603269 , version 1

Citer

A. Jdidi, N. Sfina, M. Saïd, J.L. Lazzari. Engineering of Ga1-xInxAsySb1y/GaSb quantum well for III-V based devices emitting near 2.7 µm. Institute of physics conference series, 2010, 13, pp.012005. ⟨hal-00603269⟩

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