Electrical field and temperature effects in 2D-2D resonant tunneling diodes based on cubic InGaN/AlGaN - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (c) Année : 2011

Electrical field and temperature effects in 2D-2D resonant tunneling diodes based on cubic InGaN/AlGaN

A. Bhouri
  • Fonction : Auteur
N. Yahyaoui
  • Fonction : Auteur
M. Debbichi
  • Fonction : Auteur
H. Mejri
  • Fonction : Auteur
J.-L. Lazzari
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
CV
M. Said
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00603259

Soumis le : vendredi 24 juin 2011-15:16:47

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:54

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Dates et versions

hal-00603259 , version 1 (24-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00603259 , version 1

Citer

A. Bhouri, N. Yahyaoui, M. Debbichi, H. Mejri, J.-L. Lazzari, et al.. Electrical field and temperature effects in 2D-2D resonant tunneling diodes based on cubic InGaN/AlGaN. physica status solidi (c), 2011, 8 (5), pp.1544-1547. ⟨hal-00603259⟩

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