Effect of annealing treatments on photoluminescence and charge storage mechanism in silicon-rich SiNx:H films - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Effect of annealing treatments on photoluminescence and charge storage mechanism in silicon-rich SiNx:H films

Marie-Anne Jung  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00597207

Soumis le : mardi 31 mai 2011-13:28:19

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:54

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00597207 , version 1 (31-05-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00597207 , version 1

Citer

B. Sahu, F. Delachat, A. Slaoui, Marzia Carrada, G. Ferblantier, et al.. Effect of annealing treatments on photoluminescence and charge storage mechanism in silicon-rich SiNx:H films. European Material Research Society (E-MRS) Fall Meeting, Symposium on Nanoscaled Si, Ge based materials, Sep 2010, Varsovie, Poland. ⟨hal-00597207⟩

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