Dynamic body potential variation in FD SOI MOSFETs operated in deep non-equilibrium regime : model and applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2010
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00596349 , version 1 (27-05-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00596349 , version 1

Citer

M. Bawedin, S. Cristoloveanu, D. Flandre, F. Udrea. Dynamic body potential variation in FD SOI MOSFETs operated in deep non-equilibrium regime : model and applications. Solid-State Electronics, 2010, 54 (2), pp.104-114. ⟨hal-00596349⟩
53 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More