IR and Vis-NIR electroluminescence developments for FA in AlGaN/GaN HEMTs on SiC - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

IR and Vis-NIR electroluminescence developments for FA in AlGaN/GaN HEMTs on SiC

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00585192 , version 1 (12-04-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00585192 , version 1

Citer

Moshine Bouya, D. Carisetti, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Philippe Perdu, et al.. IR and Vis-NIR electroluminescence developments for FA in AlGaN/GaN HEMTs on SiC. 36th International Symposium for Testing and Failure Analysis (ISTFA), Nov 2010, Dallas, United States. pp.1. ⟨hal-00585192⟩
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