Extraction of traps in AlGaN/GaN/Al2O3 HEMT's based on DC I-V characteristics - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Extraction of traps in AlGaN/GaN/Al2O3 HEMT's based on DC I-V characteristics

O. Fathallah
  • Fonction : Auteur
M. Gassoumi
  • Fonction : Auteur
B. Grimbert
Christophe Gaquière
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
M.A. Poisson
  • Fonction : Auteur
H. Maaref
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00575455

Soumis le : jeudi 10 mars 2011-11:48:51

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00575455 , version 1 (10-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00575455 , version 1

Citer

O. Fathallah, M. Gassoumi, B. Grimbert, Christophe Gaquière, M.A. Poisson, et al.. Extraction of traps in AlGaN/GaN/Al2O3 HEMT's based on DC I-V characteristics. 2nd International Meeting on Materials for Electronic Applications, IMMEA 2009, 2009, Hammamet, Tunisia. ⟨hal-00575455⟩

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