Communication Dans Un Congrès
Année : 2009
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https://hal.science/hal-00575416
Soumis le : jeudi 10 mars 2011-11:13:56
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00575416 , version 1
Citer
H. Mosbahi, M. Gassoumi, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, H. Maaref. AlGaN/GaN/Si HEMT's and capacitance deep level transient spectroscopy (DLTS). 2nd International Meeting on Materials for Electronic Applications, IMMEA 2009, 2009, Hammamet, Tunisia. ⟨hal-00575416⟩
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