Self-aligned single-electron memory fabrication based on Si/SiGe/Si heterostructures - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Self-aligned single-electron memory fabrication based on Si/SiGe/Si heterostructures

Xing Tang
  • Fonction : Auteur
F. Ravaux
  • Fonction : Auteur
Emmanuel Dubois
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
CV
E. Kasper
  • Fonction : Auteur
K. Alim
  • Fonction : Auteur
R. Nicolas
  • Fonction : Auteur
J.P. Raskin
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00575272

Soumis le : jeudi 10 mars 2011-09:12:48

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00575272 , version 1 (10-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00575272 , version 1

Citer

Xing Tang, F. Ravaux, Emmanuel Dubois, E. Kasper, K. Alim, et al.. Self-aligned single-electron memory fabrication based on Si/SiGe/Si heterostructures. 35th International Conference on Micro & Nano Engineering, MNE 2009, 2009, Ghent, Belgium. ⟨hal-00575272⟩

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