Electronic properties of the Al0.56In0.44Sb/Ga0.5In0.5Sb heterostructure - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Electronic properties of the Al0.56In0.44Sb/Ga0.5In0.5Sb heterostructure

L. Desplanque
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
D. Vignaud
S. Godey
E. Cadio
  • Fonction : Auteur
P. Liu
  • Fonction : Auteur
H. Sellier
Nano-Electronique Quantique et Spectroscopie
CV
X. Wallart

Domaines

Physique [physics]

Collection IEMN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00573576

Soumis le : vendredi 4 mars 2011-11:23:20

Dernière modification le : vendredi 26 avril 2024-03:30:35

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00573576 , version 1 (04-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00573576 , version 1

Citer

L. Desplanque, D. Vignaud, S. Godey, E. Cadio, P. Liu, et al.. Electronic properties of the Al0.56In0.44Sb/Ga0.5In0.5Sb heterostructure. 22nd IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'10, 2010, Kagawa, Japan. ⟨hal-00573576⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UGA CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN NEEL UNIV-LILLE
27 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More