Effect of on band alignment of compressively strained Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz/GaAs quantum well structures - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures Année : 2010

Effect of on band alignment of compressively strained Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz/GaAs quantum well structures

A. Aissat
  • Fonction : Auteur
S. Nacer
  • Fonction : Auteur
M. Seghilani
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-00552029 , version 1 (05-01-2011)

Identifiants

Citer

A. Aissat, S. Nacer, M. Seghilani, Jean-Pierre Vilcot. Effect of on band alignment of compressively strained Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz/GaAs quantum well structures. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 2010, 43, pp.40-44. ⟨10.1016/j.physe.2010.06.016⟩. ⟨hal-00552029⟩
16 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More