Influence of the selectively implanted collector integration on 400 GHz fmax Si/SiGe:C HBTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Influence of the selectively implanted collector integration on 400 GHz fmax Si/SiGe:C HBTs

T. Lacave
  • Fonction : Auteur
P. Chevalier
  • Fonction : Auteur
Y. Campidelli
  • Fonction : Auteur
L. Depoyan
  • Fonction : Auteur
L. Berthier
  • Fonction : Auteur
F. Andre
  • Fonction : Auteur
M. Buczko
  • Fonction : Auteur
G. Avenier
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
A. Chantre
  • Fonction : Auteur

Collection IEMN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00550006

Soumis le : jeudi 23 décembre 2010-10:37:53

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00550006 , version 1 (23-12-2010)

Identifiants

Citer

T. Lacave, P. Chevalier, Y. Campidelli, L. Depoyan, L. Berthier, et al.. Influence of the selectively implanted collector integration on 400 GHz fmax Si/SiGe:C HBTs. 218th Electrochemical Society Meeting, 218th ECS Meeting, 'SiGe, Ge, and Related Compounds 4 : Materials, Processing, and Devices', 2010, United States. pp.331-335, ⟨10.1149/1.3487563⟩. ⟨hal-00550006⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE
67 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More