Communication Dans Un Congrès
Année : 2010
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https://hal.science/hal-00549999
Soumis le : jeudi 23 décembre 2010-10:30:57
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
F. Lecourt, Y. Douvry, N. Defrance, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, et al.. High transconductance AlGaN/GaN HEMT with thin barrier on Si(111) substrate. 40th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2010, 2010, Spain. pp.281-284, ⟨10.1109/ESSDERC.2010.5618362⟩. ⟨hal-00549999⟩
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