Dielectric microwave characterizations of (Ba,Sr)TiO3 film deposited on high resistivity silicon substrate : analysis by two-dimensional tangential finite element method - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2010

Dielectric microwave characterizations of (Ba,Sr)TiO3 film deposited on high resistivity silicon substrate : analysis by two-dimensional tangential finite element method

Freddy Ponchel
J. Midy
  • Fonction : Auteur
Jean-François Legier
Caroline Soyer
Denis Remiens
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
T. Lasri
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 751883
  • IdHAL : tuami-lasri
G. Gueguan
  • Fonction : Auteur

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]
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Citer

Freddy Ponchel, J. Midy, Jean-François Legier, Caroline Soyer, Denis Remiens, et al.. Dielectric microwave characterizations of (Ba,Sr)TiO3 film deposited on high resistivity silicon substrate : analysis by two-dimensional tangential finite element method. Journal of Applied Physics, 2010, 107, pp.054112-1-5. ⟨10.1063/1.3309423⟩. ⟨hal-00549504⟩

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