Low microwave noise of AlGaN/GaN HEMTs fabricated on SiCopSiC substrates

Virginie Hoel; N. Defrance; Y. Douvry; Jean-Claude de Jaeger; N. Vellas; Christophe Gaquière; M.A. Di Forte-Poisson; J. Thorpe; R. Langer

doi:10.1049/el.2010.2576

Article Dans Une Revue Electronics Letters Année : 2010

Low microwave noise of AlGaN/GaN HEMTs fabricated on SiCopSiC substrates

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1

Virginie Hoel

Fonction : Auteur
PersonId : 747991
IdHAL : virginie-hoel
ORCID : 0000-0003-4652-4742
IdRef : 121234223

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

N. Defrance

Fonction : Auteur
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IdHAL : nicolas-defrance
ORCID : 0000-0002-3944-9652

Y. Douvry

Fonction : Auteur

Jean-Claude de Jaeger

Fonction : Auteur
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IdHAL : jean-claude-dejaeger

N. Vellas

Fonction : Auteur

Christophe Gaquière

Fonction : Auteur
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IdHAL : christophe-gaquiere
ORCID : 0000-0003-3082-2489
IdRef : 059765615

M.A. Di Forte-Poisson

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J. Thorpe

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R. Langer

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https://hal.science/hal-00549457

Soumis le : mercredi 22 décembre 2010-08:52:50

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00549457 , version 1 (22-12-2010)

Identifiants

HAL Id : hal-00549457 , version 1
DOI : 10.1049/el.2010.2576

Citer

Virginie Hoel, N. Defrance, Y. Douvry, Jean-Claude de Jaeger, N. Vellas, et al.. Low microwave noise of AlGaN/GaN HEMTs fabricated on SiCopSiC substrates. Electronics Letters, 2010, 46, pp.84-85. ⟨10.1049/el.2010.2576⟩. ⟨hal-00549457⟩

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