Analysis of deep levels in AlGaN/GaN/Al2O3 heterostructures by CDLTS under a gate pulse

M. Gassoumi; O. Fathallah; Christophe Gaquière; H. Maaref

doi:10.1016/j.physb.2010.02.042

Article Dans Une Revue Physica B: Condensed Matter Année : 2010

Analysis of deep levels in AlGaN/GaN/Al2O3 heterostructures by CDLTS under a gate pulse

, , (1) ,

1

M. Gassoumi

Fonction : Auteur

O. Fathallah

Fonction : Auteur

Christophe Gaquière

Fonction : Auteur
PersonId : 746853
IdHAL : christophe-gaquiere
ORCID : 0000-0003-3082-2489
IdRef : 059765615

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

H. Maaref

Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00549453

Soumis le : mercredi 22 décembre 2010-08:40:15

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00549453 , version 1 (22-12-2010)

Identifiants

HAL Id : hal-00549453 , version 1
DOI : 10.1016/j.physb.2010.02.042

Citer

M. Gassoumi, O. Fathallah, Christophe Gaquière, H. Maaref. Analysis of deep levels in AlGaN/GaN/Al2O3 heterostructures by CDLTS under a gate pulse. Physica B: Condensed Matter, 2010, 405, pp.2337-2339. ⟨10.1016/j.physb.2010.02.042⟩. ⟨hal-00549453⟩

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