One-by-one trap activation in silicon nanowire transistors

N. Clement (1) , K. Nishiguchi , A. Fujiwara , D. Vuillaume (1)

1 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Domaines: Physique [physics]

N. Clement, K. Nishiguchi, A. Fujiwara, D. Vuillaume. One-by-one trap activation in silicon nanowire transistors. Nature Communications, 2010, 1, 92, 8 p. ⟨10.1038/ncomms1092⟩. ⟨hal-00548974⟩