Improvement of ohmic contacts to In0.65Ga0.35Sb using Mo refractory metal and surface preparation for 6.3 Å heterojunction bipolar transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science and Technology Année : 2010

Improvement of ohmic contacts to In0.65Ga0.35Sb using Mo refractory metal and surface preparation for 6.3 Å heterojunction bipolar transistors

E. Mairiaux
  • Fonction : Auteur
L. Desplanque
X. Wallart
M. Zaknoune
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00548563

Soumis le : lundi 20 décembre 2010-09:43:18

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00548563 , version 1 (20-12-2010)

Identifiants

Citer

E. Mairiaux, L. Desplanque, X. Wallart, M. Zaknoune. Improvement of ohmic contacts to In0.65Ga0.35Sb using Mo refractory metal and surface preparation for 6.3 Å heterojunction bipolar transistors. Journal of Vacuum Science and Technology, 2010, 28, pp.17-20. ⟨10.1116/1.3268134⟩. ⟨hal-00548563⟩

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