Double capping of molecular beam epitaxy grown InAs/InP quantum dots studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2007

Double capping of molecular beam epitaxy grown InAs/InP quantum dots studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy

J.-M. Ulloa
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Paul Koenraad
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Antoine Letoublon
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Soumis le : samedi 22 mai 2010-19:46:06

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hal-00485907 , version 1 (22-05-2010)

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J.-M. Ulloa, Paul Koenraad, E. Gapihan, Antoine Letoublon, Nicolas Bertru. Double capping of molecular beam epitaxy grown InAs/InP quantum dots studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy. Applied Physics Letters, 2007, 91 (7), pp.073106. ⟨10.1063/1.2771063⟩. ⟨hal-00485907⟩

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