Study of trap centres in silicon nanocrystal memories

A. Souifi; P. Brounkov; S. Bernardini; C. Busseret; L. Militaru; G. Guillot; T. Baron

Article Dans Une Revue Materials Science and Engineering Année : 2003

Study of trap centres in silicon nanocrystal memories

(1) , , , , , , (2)

1
2

A. Souifi

Fonction : Auteur

Laboratoire de physique de la matière

P. Brounkov

Fonction : Auteur

S. Bernardini

Fonction : Auteur
PersonId : 11271
IdHAL : sandrine-bernardini
ORCID : 0000-0001-9673-222X
IdRef : 084553219

CV

C. Busseret

Fonction : Auteur

L. Militaru

Fonction : Auteur

G. Guillot

Fonction : Auteur
PersonId : 170088
IdHAL : gerard-guillot
IdRef : 069003785

T. Baron

Fonction : Auteur
PersonId : 739925
IdHAL : thierry-baron
ORCID : 0000-0001-5005-6596
IdRef : 130661813

Laboratoire des technologies de la microélectronique

Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00477192

Soumis le : mercredi 28 avril 2010-13:39:47

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:52:14

Dates et versions

hal-00477192 , version 1 (28-04-2010)

Identifiants

HAL Id : hal-00477192 , version 1

Citer

A. Souifi, P. Brounkov, S. Bernardini, C. Busseret, L. Militaru, et al.. Study of trap centres in silicon nanocrystal memories. Materials Science and Engineering, 2003, pp.B, Volume 102, Issues 1-3, 15 Pages 99-107. ⟨hal-00477192⟩

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