Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 2001
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00475792
Soumis le : vendredi 23 avril 2010-09:31:25
Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00475792 , version 1
Citer
Pascal Chabert, G. Cunge, Jean-Paul Booth. Reactive ion etching of SiC in SF6 gas: detection of CF, CF2 and SiF2 etch products. Applied Physics Letters, 2001, pp.79, 916. ⟨hal-00475792⟩
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