Issues associated to rare earth silicide integration in ultra thin FD SOI Schottky barrier nMOSFETs

G. Larrieu; Dmitri Yarekha; Emmanuel Dubois; D. Deresmes; N. Breil; N. Reckinger; Xing Tang; A. Halimaoui

doi:10.1149/1.3117410

Article Dans Une Revue ECS Transactions Année : 2009

Issues associated to rare earth silicide integration in ultra thin FD SOI Schottky barrier nMOSFETs

(1) , , , , , , ,

1

G. Larrieu

Fonction : Auteur

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Dmitri Yarekha

Fonction : Auteur
PersonId : 746988
IdHAL : dmitri-yarekha
IdRef : 068447507

Emmanuel Dubois

Fonction : Auteur
PersonId : 738944
IdHAL : emmanuel-dubois-iemn
ORCID : 0000-0002-0347-010X
IdRef : 134290291

CV

D. Deresmes

Fonction : Auteur
PersonId : 747609
IdHAL : dominique-deresmes
ORCID : 0000-0002-4238-3842

CV

N. Breil

Fonction : Auteur

N. Reckinger

Fonction : Auteur

Xing Tang

Fonction : Auteur

A. Halimaoui

Fonction : Auteur

Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00471998

Soumis le : vendredi 9 avril 2010-11:28:16

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00471998 , version 1 (09-04-2010)

Identifiants

HAL Id : hal-00471998 , version 1
DOI : 10.1149/1.3117410

Citer

G. Larrieu, Dmitri Yarekha, Emmanuel Dubois, D. Deresmes, N. Breil, et al.. Issues associated to rare earth silicide integration in ultra thin FD SOI Schottky barrier nMOSFETs. ECS Transactions, 2009, 19, pp.201-207. ⟨10.1149/1.3117410⟩. ⟨hal-00471998⟩

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