Molecular dynamics simulations of the solid phase epitaxy of Si : growth mechanism and orientation effects - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2009

Molecular dynamics simulations of the solid phase epitaxy of Si : growth mechanism and orientation effects

Fichier principal
Vignette du fichier
Lampin_2009_1.3211972.pdf (3.03 Mo) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers éditeurs autorisés sur une archive ouverte

Dates et versions

hal-00471990 , version 1 (25-05-2022)

Identifiants

Citer

E. Lampin, Christophe Krzeminski. Molecular dynamics simulations of the solid phase epitaxy of Si : growth mechanism and orientation effects. Journal of Applied Physics, 2009, 106, pp.063519-1-8. ⟨10.1063/1.3211972⟩. ⟨hal-00471990⟩
61 Consultations
33 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More