Porosity generation using hydrogen plasma assisted thermal curing for ultra low k material

A. Zenasni; V. Jousseaume; O. Gourhant; L. Favennec; P. Maury

Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2008

Porosity generation using hydrogen plasma assisted thermal curing for ultra low k material

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A. Zenasni

Fonction : Auteur

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

V. Jousseaume

Fonction : Auteur

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

O. Gourhant

Fonction : Auteur

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Laboratoire des technologies de la microélectronique

L. Favennec

Fonction : Auteur

P. Maury

Fonction : Auteur

Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00466188

Soumis le : mardi 23 mars 2010-08:27:36

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:41:43

Dates et versions

hal-00466188 , version 1 (23-03-2010)

Identifiants

HAL Id : hal-00466188 , version 1

Citer

A. Zenasni, V. Jousseaume, O. Gourhant, L. Favennec, P. Maury. Porosity generation using hydrogen plasma assisted thermal curing for ultra low k material. Microelectronic Engineering, 2008, pp.2102-2104. ⟨hal-00466188⟩

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