Chemical-vapour-deposition growth and electrical characterization of intrinsic silicon nanowires - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science and Engineering: B Année : 2009

Chemical-vapour-deposition growth and electrical characterization of intrinsic silicon nanowires

B. Salem
F. Dhalluin
  • Fonction : Auteur
T. Baron
H. Jamgotchian
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
F. Bedu
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
H. Dallaporta
  • Fonction : Auteur
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
R. Gentile
  • Fonction : Auteur
N. Pauc
  • Fonction : Auteur
M.I. den Hertog
J.L. Rouviere
CV
P. Ferret
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00453724

Soumis le : vendredi 5 février 2010-14:22:47

Dernière modification le : vendredi 15 septembre 2023-10:38:30

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Dates et versions

hal-00453724 , version 1 (05-02-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00453724 , version 1

Citer

B. Salem, F. Dhalluin, T. Baron, H. Jamgotchian, F. Bedu, et al.. Chemical-vapour-deposition growth and electrical characterization of intrinsic silicon nanowires. Materials Science and Engineering: B, 2009, 159-160, pp.83-86. ⟨hal-00453724⟩

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