STiGer cryoetching process on silicon : results on performances for 0.8 um trenches - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

STiGer cryoetching process on silicon : results on performances for 0.8 um trenches

Domaines

Physique des plasmas [physics.plasm-ph]

Remi Dussart  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00444466

Soumis le : mercredi 6 janvier 2010-16:09:04

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:52

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00444466 , version 1 (06-01-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00444466 , version 1

Citer

Vincent L. Girault, Remi Dussart, Laurianne E. Pichon, Jeremy Pereira, Philippe Lefaucheux, et al.. STiGer cryoetching process on silicon : results on performances for 0.8 um trenches. 17th International Colloquium on Plasma Processes, Jun 2009, Marseille, France. ⟨hal-00444466⟩

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