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Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Influence of the N/Al Ratio in the Gas Phase on the Growth of AlN by High Temperature Chemical Vapor Deposition (HTCVD)

A. Claudel
  • Fonction : Auteur
Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés
D. Chaussende
Laboratoire des matériaux et du génie physique
CV
E. Blanquet
Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés
D. Pique
  • Fonction : Auteur
M. Pons
Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés

Domaines

Matériaux Génie des procédés

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https://hal.science/hal-00426590

Soumis le : lundi 26 octobre 2009-18:04:59

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00426590 , version 1 (26-10-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00426590 , version 1

Citer

A. Claudel, D. Chaussende, E. Blanquet, D. Pique, M. Pons. Influence of the N/Al Ratio in the Gas Phase on the Growth of AlN by High Temperature Chemical Vapor Deposition (HTCVD). 7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2008, Barcelone, Spain. pp.987-990. ⟨hal-00426590⟩

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