Effect of Physical defect on schmoos in CMOS DSM technologies

Type de document :
Communication dans un congrès
European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF), 2008, Maastricht, Netherlands. pp.25-32, 2008
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401696
Contributeur : Frédéric Darracq <>
Soumis le : vendredi 3 juillet 2009 - 19:17:55
Dernière modification le : jeudi 4 octobre 2018 - 11:14:07

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  • HAL Id : hal-00401696, version 1

Citation

A. Machouat, G. Haller, V. Goubier, Dean Lewis, Philippe Perdu, et al.. Effect of Physical defect on schmoos in CMOS DSM technologies. European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF), 2008, Maastricht, Netherlands. pp.25-32, 2008. 〈hal-00401696〉

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