Effect of Physical defect on schmoos in CMOS DSM technologies - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00401696 , version 1 (03-07-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00401696 , version 1

Citer

A. Machouat, G. Haller, V. Goubier, Dean Lewis, Philippe Perdu, et al.. Effect of Physical defect on schmoos in CMOS DSM technologies. European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF), 2008, Maastricht, Netherlands. pp.25-32. ⟨hal-00401696⟩
49 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More