Effect of physical defect on shmoos in CMOS DSM technologies

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Article dans une revue
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2008, 48, pp.1333-1338
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Contributeur : Frédéric Darracq <>
Soumis le : jeudi 2 juillet 2009 - 18:47:36
Dernière modification le : jeudi 4 octobre 2018 - 11:14:07

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  • HAL Id : hal-00401309, version 1

Citation

A. Machouat, G. Haller, V. Goubier, Dean Lewis, Philippe Perdu, et al.. Effect of physical defect on shmoos in CMOS DSM technologies. Microelectronics Reliability, Elsevier, 2008, 48, pp.1333-1338. 〈hal-00401309〉

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