Influence of ion bombardment on structural and electrical properties of SiO2 thin films deposited from O-2/HMDSO inductively coupled plasmas under continuous wave and pulsed modes - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue European Physical Journal: Applied Physics Année : 2008

Influence of ion bombardment on structural and electrical properties of SiO2 thin films deposited from O-2/HMDSO inductively coupled plasmas under continuous wave and pulsed modes

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Richard BASCHERA  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00396517

Soumis le : jeudi 18 juin 2009-13:34:56

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

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Dates et versions

hal-00396517 , version 1 (18-06-2009)

Identifiants

Citer

A. Bousquet, Antoine Goullet, C. Leteinturier, Nathalie . Coulon, Agnès A. Granier. Influence of ion bombardment on structural and electrical properties of SiO2 thin films deposited from O-2/HMDSO inductively coupled plasmas under continuous wave and pulsed modes. European Physical Journal: Applied Physics, 2008, 42 (1), pp.3. ⟨10.1051/epjap:2008038⟩. ⟨hal-00396517⟩

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