On the saturation mechanism in the Ge nanocrystals-based non-volatile memory - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2006

On the saturation mechanism in the Ge nanocrystals-based non-volatile memory

M. Kanoun
  • Fonction : Auteur
C. Busseret
  • Fonction : Auteur
T. Baron
Laboratoire des technologies de la microélectronique
A. Souifi
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00394736

Soumis le : vendredi 12 juin 2009-13:51:03

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:52:26

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00394736 , version 1 (12-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00394736 , version 1

Citer

M. Kanoun, C. Busseret, T. Baron, A. Souifi. On the saturation mechanism in the Ge nanocrystals-based non-volatile memory. Solid-State Electronics, 2006, pp.50(5), May (2006) 769-733. ⟨hal-00394736⟩

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