High quality Germanium On Insulator wafers with excellent hole mobility - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2007

High quality Germanium On Insulator wafers with excellent hole mobility

Q.T. Nguyen
  • Fonction : Auteur
J.F. Damlencourt
  • Fonction : Auteur
B. Vincent
L. Clavelier
  • Fonction : Auteur
Y. Morand
  • Fonction : Auteur
P. Gentil
  • Fonction : Auteur
S. Cristoloveanu
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00393672

Soumis le : mardi 9 juin 2009-16:14:44

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:49:56

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Dates et versions

hal-00393672 , version 1 (09-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00393672 , version 1

Citer

Q.T. Nguyen, J.F. Damlencourt, B. Vincent, L. Clavelier, Y. Morand, et al.. High quality Germanium On Insulator wafers with excellent hole mobility. Solid-State Electronics, 2007, 51(9), pp.1172-1179. ⟨hal-00393672⟩

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