Communication Dans Un Congrès
Année : 2008
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00392487
Soumis le : lundi 8 juin 2009-11:23:46
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:24:52
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00392487 , version 1
Citer
L. Zafari, J. Jomaah, G. Ghibaudo, O. Faynot. Low Frequency Noise Analysis in HfO2/SiO2 gate oxide Fully-Depelted SOI Transistors.. 15th Workshop on Dielectrics in Microelectronics, Berlin, Germany, Jun 2008, Berlin, Germany. ⟨hal-00392487⟩
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