SiO2 Interfacial Layer as The Origin of The Breakdown of High-k Dielectric Stacks. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

SiO2 Interfacial Layer as The Origin of The Breakdown of High-k Dielectric Stacks.

M. Rafik
  • Fonction : Auteur
G. Ribes
  • Fonction : Auteur
G. Ghibaudo
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
CV

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00392472

Soumis le : lundi 8 juin 2009-11:02:57

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:27:22

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00392472 , version 1 (08-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00392472 , version 1

Citer

M. Rafik, G. Ribes, G. Ghibaudo. SiO2 Interfacial Layer as The Origin of The Breakdown of High-k Dielectric Stacks.. 15th Workshop on Dielectrics in Microelectronics, Berlin, Germany, Jun 2008, -, Germany. ⟨hal-00392472⟩

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