The Ge condensation technique: a solution for planar SOI/GeOI co-integration for advanced CMOS technologies? - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

The Ge condensation technique: a solution for planar SOI/GeOI co-integration for advanced CMOS technologies?

B. Vincent
J.F. Damlencourt
  • Fonction : Auteur
Y. Morand
  • Fonction : Auteur
A. Pouydebasque
  • Fonction : Auteur
C. Le Royer
  • Fonction : Auteur
L. Clavelier
  • Fonction : Auteur
N. Dechoux
  • Fonction : Auteur
P. Rivallini
  • Fonction : Auteur
T. Nguyen
  • Fonction : Auteur
S. Cristoloveanu
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
Y. Campidelli
  • Fonction : Auteur
D. Rouchon
  • Fonction : Auteur
Michel Mermoux
S. Deleonibus
  • Fonction : Auteur
D. Bensahel
  • Fonction : Auteur
T. Billon
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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Soumis le : vendredi 5 juin 2009-11:28:40

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:40:35

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Dates et versions

hal-00391979 , version 1 (05-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00391979 , version 1

Citer

B. Vincent, J.F. Damlencourt, Y. Morand, A. Pouydebasque, C. Le Royer, et al.. The Ge condensation technique: a solution for planar SOI/GeOI co-integration for advanced CMOS technologies?. Materials Research Society (E-MRS 2008), Symposium J, Strasbourg, France (26-30 mai 2008), Materials Science in Semiconductor Processing, Elsevier, XX3-10 (2008), May 2008, -, France. ⟨hal-00391979⟩

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