Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2008
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00391693
Soumis le : jeudi 4 juin 2009-14:59:38
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:40:35
Citer
Sylvain Feruglio, F. Andrieu, O. Faynot, G. Ghibaudo. In-depth Electrical Characterization of sub-45nm fully depleted strained SOI MOSFETs with TiN/HfO2 gate stack. Solid-State Electronics, 2008, 55, 489 (4), ⟨10.1016/j.sse.2007.10.039⟩. ⟨hal-00391693⟩
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