Strain effect on self-diffusion in silicon : numerical study - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015) Année : 2009

Strain effect on self-diffusion in silicon : numerical study

P. Ganster
  • Fonction : Auteur
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
G. Treglia
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
A. Saul
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
CV

Domaines

Matière Condensée [cond-mat]

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https://hal.science/hal-00386960

Soumis le : vendredi 22 mai 2009-11:36:14

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:51

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00386960 , version 1 (22-05-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00386960 , version 1

Citer

P. Ganster, G. Treglia, A. Saul. Strain effect on self-diffusion in silicon : numerical study. Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2009, 79 (11), pp.115205. ⟨hal-00386960⟩

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