GISAXS studies of nanocavities and defects induced by He and Ne implantation in Si - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

GISAXS studies of nanocavities and defects induced by He and Ne implantation in Si

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Matériaux Génie des procédés

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https://hal.science/hal-00373859

Soumis le : mardi 7 avril 2009-14:48:12

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:13

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00373859 , version 1 (07-04-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00373859 , version 1

Citer

D. Babonneau, S. Peripolli, M.F. Beaufort, J-F. Barbot, J.P. Simon. GISAXS studies of nanocavities and defects induced by He and Ne implantation in Si. 2nd Workshop: GISAXS - an advanced scattering method, May 2007, Germany. ⟨hal-00373859⟩

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