Te-Ge-Ga thin films deposited by co-thermal evaporation - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Optoelectronics and Advanced Materials - Rapid Communications Année : 2009
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00372795 , version 1 (02-04-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00372795 , version 1

Citer

Jérôme Frayret, Eléonore Barthélémy, Stéphanie Albert, Caroline Vigreux, Annie Pradel. Te-Ge-Ga thin films deposited by co-thermal evaporation. Optoelectronics and Advanced Materials - Rapid Communications, 2009, 3 (3), pp.260-264. ⟨hal-00372795⟩
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