Développement et étude de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe:C pour les technologies BiCMOS millimétriques - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Autre Publication Scientifique Année : 2008

Développement et étude de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe:C pour les technologies BiCMOS millimétriques

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00362089 , version 1 (17-02-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00362089 , version 1

Citer

B. Geynet. Développement et étude de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe:C pour les technologies BiCMOS millimétriques. 2008. ⟨hal-00362089⟩
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