Communication Dans Un Congrès
Année : 2008
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https://hal.science/hal-00361543
Soumis le : lundi 16 février 2009-10:31:45
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00361543 , version 1
Citer
G. Larrieu, Emmanuel Dubois, Dmitri Yarekha, N. Breil, N. Reckinger, et al.. Impact of channel doping on Schottky barrier height and investigation on p-SB MOSFETs performance. European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2008, Symposium I : Front-end junction and contact formation in future Silicon/Germanium based devices, 2008, _, France. ⟨hal-00361543⟩
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